台积电公布2nm制程：新一代晶体管 功耗降低30%

近日，台积电在2022年技术研讨会上，向外界公布了未来先进制程的路线。

按照台积电的技术路线图，3nm（N3）将于今年内量产，而且作为迭代，3nm要比过渡的4nm存在时间更长，后续还有N3E、N3P、N3X。

同时披露了2nm（N2）的部分信息，采用纳米片电晶体（Nanosheet），以取代使用多年的FinFET（鳍式场效应晶体管）。

所谓的纳米片电晶体，业界普遍认为应该就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管），微观结构原理相似，只是和三星方面命名不同。

数据显示，相较于3nm，2nm制程相同功耗下速度提升10-15%，相同速度下，功耗降低25~30%。

看起来功耗提升还不错，但是注意，相比N3E，N2的晶体管密度只提升了10%，这倒是令人非常意外，如果按照新一代工艺，密度起码要提升100%，不知台积电作何考虑。

台积电表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案，将于2025年量产。

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