5月28日,在2023中关村论坛“北京(国际)第三代半导体创新发展论坛”上,国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片生产项目等6个产业项目签约,预计总投资近18亿元。而正是第三代半导体技术,为我国产业链进一步升级打开广阔空间。
在半导体技术日新月异的当下,第三代半导体尤为“亮眼”,业内观点认为,随着其应用铺开,将给诸多产业带来难以想象的革新。
科学技术部党组成员、副部长相里斌介绍:“以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体,具有高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射等方面的优越性能,世界主要国家纷纷加速技术攻关和产业布局,国际上第三代半导体材料、器件实现了从研发到规模性量产的跨越,在移动通信、新能源汽车、高速列车、智能电网、新型显示、通信传感等领域的应用不断扩大。”
对于这种世界前沿技术,我国在政策上的支持也不遗余力。据了解,长期以来科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展,从“十五”期间就开始率先支持第三代半导体材料和器件的研发,经过四个五年计划的持续支持,建立从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。
“十五”开始,科技部支持半导体照明和氮化镓微波射频器件研发,目前半导体照明年产值已超过7000亿元,年节电超2000亿度;氮化镓微波射频器件作为移动通讯基站的关键零部件,为5G通讯产业的快速发展发挥重要作用。
此后,第三代半导体的应用领域更加广泛,“十二五”期间支持的碳化硅和氮化镓功率半导体,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网以及通用电源等领域已开始应用推广;“十三五”期间支持的小间距LED已经在新型显示领域规模化应用。
如果从国家战略层面出发分析产业结构,第三代半导体的重要地位不言而喻,随着国际间产业竞争愈发激烈,半导体芯片成为必争之地,这也让构建我国碳化硅供应链以及高精尖技术国产化变得愈发重要,第三代半导体是加速国产替代中关键一环,通过进一步掌握核心关键技术,实现产品自主可控。
业内观点认为,我国在半导体领域需求庞大,市场潜力充足,可以通过技术迭代以及产能扩张,在第三代半导体领域形成优势。
针对我国第三代半导体的发展阶段,相里斌表示:“总体上看,‘十三五’已基本解决了我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题,‘十四五’将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力问题。”
专家观点认为,目前我国第三代半导体发展过程中仍有许多技术难题,需要集聚技术、人才等创新要素强化科技研发,更需要坚持开放创新,积极推动国际科技交流与合作。
具体而言,第三代半导体产业规模大,头部企业创新引领作用强,所以在发展过程中,要充分发挥企业在技术创新决策、研发投入、科研组织和成果转化中的主体作用,支持科技领军企业牵头布局,强化企业主导的产学研深度融合,推动高层次人才、项目、成果、设施平台、资本等创新要素向企业聚集,提高创新整体效率。
在第三代半导体产业落地过程中,北京市顺义区当仁不让。据悉,目前顺义区规划了3000余亩土地作为核心承载区,现已开发利用400亩。规划建设总面积约20万平方米的三代半标厂,目前一期7.4万平方米已投入使用,吸引4家企业入驻,二期6.6万平方米正在建设。
与会专家认为,当前顺义区通过持续不断的基础设施建设,令第三代半导体产业发展要素一应俱全,在专项政策不断出台并持续优化的背景下,第三代半导体产业链将在顺义区更深扎根。
北京商报记者陶凤王柱力
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