三星S24系列更多信息曝光，或配备LLW DRAM

继此前有传言称，三星Galaxy S24系列新机或将于明年1月17日在美国圣何塞举行的新品发布会上正式亮相后，随着其产品端相关信息的陆续曝光，也吸引了众多消费者的关注。日前三星方面还展示了针对端侧AI需求、性能更为强悍的LLW DRAM内存，结合此前Galaxy S24系列所曝光的相关信息，外界推测其极有可能将会率先配备LLW DRAM内存，并且有传言称其内存容量或将依旧从8GB起步。

根据此次曝光的相关信息显示，LLW DRAM是三星方面针对端侧AI的需求所研发，因此其将会带来相比目前LPDDR解决方案更好的性能表现。而在产品外观方面，据悉Galaxy S24系列三款新机的四面屏幕边框或均为1.5mm，其中定位最高的Galaxy S24 Ultra还有望用上钛合金材质中框。

硬件配置上，据悉Galaxy S24系列中的Galaxy S24和Galaxy S24+，可能将会回归按销售区域分别搭载骁龙8 Gen3和Exynos 2400主控的惯例，前者或将采用一块FHD分辨率的屏幕，有望提供4000mAh电池、支持25W有线快充，后者则可能会配备一块QHD分辨率的屏幕，并配备4900mAh电池、支持45W有线快充。而在影像方面，两者所配备的可能同样是由5000万像素主摄+1200万像素副摄+1000万像素副摄组成的后置三摄模组。

而市场定位最高的Galaxy S24 Ultra则或将采用一块具备QHD+分辨率的屏幕，有望搭载骁龙8 Gen3 for Galaxy定制主控，并可能会用上5000mAh叠片式电池、支持45W有线快充。影像方面，其所配备的则可能是由2亿像素主摄+5000万像素+1200万像素+1000万像素副摄组成的后置四摄模组。

日前有消息源透露，Galaxy S24系列的中杯机型GalaxyS24此次或将仅提供8GB内存版本，GalaxyS24+和GalaxyS24 Ultra则可能带来8GB和12GB两种选择。但至于该系列机型的具体产品详情，则还有待三星方面后续更进一步相关信息的确认，因此有兴趣的朋友不妨继续保持关注。

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