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重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片

2020-11-25 15:09 驱动中国   

驱动中国2020年11月16日消息,据重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义表示,目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片,主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面,其具备体积小、效率高、用电量少等特点。电量能节省10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段,未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

 

 

重庆邮电大学成功研发第三代半导体功率芯片

此外,由重庆邮电大学规划的‘重庆集成电路设计创新孵化中心’现已入驻西部(重庆)科学城。该中心将着力建设集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台,提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持。

作者: 王文斌

 

责任编辑: 3976DBC

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